| Ga在Ni(111)表面上形成的超结构 |
| 屠礼勋,孙玉珍
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| 1985-07-30
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| 发表期刊 | 物理学报
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| 期号 | 7页码:964-967 |
| 摘要 | 使用自制的简易蒸发源,将金属Ga蒸镀在Ni(111)表面上。在亚单层时,用低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱(AES)观测到Ga在Ni(111)面上形成(3(1/2)×3(1/2))R30°和(2×2)两种超结构。并建立起近似平衡图,粗略地确定了这两种超结构存在的覆盖度和温度范围。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 超结构:8438
蒸镀:3290
Leed:2453
覆盖度:2238
热蒸发源:1628
低能电子衍射:1158
Ni衬底:1074
活动挡板:848
观察到:743
蒸发物:714
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29668
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
屠礼勋,孙玉珍. Ga在Ni(111)表面上形成的超结构[J]. 物理学报,1985(7):964-967.
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| APA |
屠礼勋,孙玉珍.(1985).Ga在Ni(111)表面上形成的超结构.物理学报(7),964-967.
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| MLA |
屠礼勋,孙玉珍."Ga在Ni(111)表面上形成的超结构".物理学报 .7(1985):964-967.
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