| 难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层 |
| 吴维(山文); 王卫林; 李铁藩
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| 1981-12-31
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| 发表期刊 | 中国腐蚀与防护学报
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| 期号 | 4页码:16-27+78-79 |
| 摘要 | 在700—1050℃温度的流床中,W、Nb和Ta的硅化物层生长速率单调地随温度上升而增加。流床法获得的硅化物层与其它方法得到的相类似。 Mo及Mo—Ti、Mo—Ti—C和Mo—Ti—Zr—C合金的硅化行为则不同,在较低的温度区域内,它们的硅化物层生长速率出现反常高的峰值,该峰的出现伴随着形成一个在现有的二元Mo—Si系相图中没有报导过的新相组成的硅化产物。X-射线分析确定,该相具有典型的六角C_(40)型结构,点阵常数为:a=4.580,c=6.477,c/a=1.41。它是通常四角的MoSi_2相的一个不稳定的低温变体。硅化后经高温真空处理时,六角的MoSi_2迅速地和不可逆地转变为四角的MoSi_2。在出现反常高增重峰的温度下,Mo一0.5Ti合金硅化物层生长遵守直线规律,其硅化层主要为六角的MoSi_2。而纯Mo仅在硅化初期服从直线规律,而后过渡为抛物线规律,其硅化产物通常为六角的MoSi_2,随后转变为四角的MoSi_2。两种结构的硅化物层在高温时的氧化行为相同。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,
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| 关键词 | 二硅化物:6143
六角结构:3971
难熔金属:3432
合金:3184
防护层:2620
相组成:2485
增重:2012
点阵常数:1598
抛物线规律:1574
碘发生器:1560
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29952
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
吴维(山文),王卫林,李铁藩. 难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层[J]. 中国腐蚀与防护学报,1981(4):16-27+78-79.
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| APA |
吴维,王卫林,&李铁藩.(1981).难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层.中国腐蚀与防护学报(4),16-27+78-79.
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| MLA |
吴维,et al."难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层".中国腐蚀与防护学报 .4(1981):16-27+78-79.
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