| 用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区 |
| 季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威
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| 1981-06-30
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 6页码:677-681 |
| 摘要 | <正> 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性 |
| 部门归属 | 中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所中国科学院固体物理研究所,中国科学院金属研究所中国科学院固体物理研究所 中国科学院固体物理研究所
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| 关键词 | 塑性区:8645
密度分布:3447
正电子湮灭:2338
技术研究:1940
缺陷效应:1222
有关问题:818
垂直裂纹:816
计算结果:679
变形不均匀:655
弹性区:635
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29969
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威. 用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区[J]. 金属学报,1981(6):677-681.
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| APA |
季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威.(1981).用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区.金属学报(6),677-681.
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| MLA |
季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,龙期威."用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区".金属学报 .6(1981):677-681.
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