| 电子束引起的残余含氧气体在镍(001)面上的吸附 |
| 李日升,任大刚,谢天生
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| 1981-05-01
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| 发表期刊 | 物理学报
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| 期号 | 4页码:526-537 |
| 摘要 | 当一束具有一定能量和强度的电子束轰击超高真空系统中残余的水汽、一氧化碳和二氧化碳时,将导致这些气体分子通过如下反应: H_2O→O_(ad)+H_2,C0_2→O_(ad)+C0,CO→O_(ad)+C_(ad)分解并共吸于镍表面。碳和氧的原子各自占据镍(001)面部份四重吸附位置,形成结构为p(2×2)或c(2×2)的许多独立的吸附畴,电子束轰击促进畴的成核、长大、连结和有序化。当氧和碳的原子占据了镍(001)面约一半的四重吸附位后,上述吸附反应将与导致氧和碳的脱附反应: C~*+O_(ad)→CO,O~*+C_(ad)→CO平衡,氧化镍与碳化镍开始成核。由于残余含氧气体中氧的含量超过碳,氧化镍成核占优势,使碳的吸附被排斥,已吸附的碳被排挤,形成电子束斑内氧高碳低、束斑外碳高氧低的“互补”分布。电子束轰击过程中碳的俄歇峰形的变化反映着碳原子与基底原子的不同结合状态。电子束的解离效应在吸附的初始阶段起重要作用,而其热效应对氧化镍的长大起重要作用。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 氧化镍:5098
俄歇:4765
电子束轰击:4671
含氧气体:2948
镍表面:2556
氧的吸附:2212
成核:1593
残余气体:1555
氧的浓度:1487
束斑:1474
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29977
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李日升,任大刚,谢天生. 电子束引起的残余含氧气体在镍(001)面上的吸附[J]. 物理学报,1981(4):526-537.
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| APA |
李日升,任大刚,谢天生.(1981).电子束引起的残余含氧气体在镍(001)面上的吸附.物理学报(4),526-537.
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| MLA |
李日升,任大刚,谢天生."电子束引起的残余含氧气体在镍(001)面上的吸附".物理学报 .4(1981):526-537.
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