| 硅单晶中铜沉淀物的几何形态 |
| 巴图,何怡贞
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| 1980-07-29
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| 发表期刊 | 物理学报
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| 期号 | 7页码:860-866 |
| 摘要 | 本文利用红外显微镜和化学浸蚀的方法,研究了硅单晶中铜沉淀物的几何形态。实验表明,用红外显微镜观察到的各种形态的沉淀物是由{110}面上的片状沉淀组成的,样品的性质对它的形态没有影响。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 蚀沟:6687
铜沉淀物:4692
硅单晶:3550
红外显微镜:3077
几何形态:2088
观察面:1916
针状沉淀:1082
交线:865
深蚀:817
观察到:745
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/30019
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
巴图,何怡贞. 硅单晶中铜沉淀物的几何形态[J]. 物理学报,1980(7):860-866.
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| APA |
巴图,何怡贞.(1980).硅单晶中铜沉淀物的几何形态.物理学报(7),860-866.
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| MLA |
巴图,何怡贞."硅单晶中铜沉淀物的几何形态".物理学报 .7(1980):860-866.
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