| 硅晶体中单个位错的运动 |
| 巴图,何怡贞
|
| 1980-06-29
|
| 发表期刊 | 物理学报
 |
| 期号 | 6页码:698-705 |
| 摘要 | 本文利用化学浸蚀方法,在400—900℃的温度范围内,在0.35—13kg?mm~(-2)的应力条件下,测量了硅晶体中单个位错的运动速度。实验结果表明,位错运动速度V(τ,T)作为温度(T)和分解切应力(τ)的函数,满足如下方程: V(τ,T)=Aτ~me~(-Q/KT)。式中m=1.02—1.49,Q=1.96—2.07eV。最后,把实验结果与扩展位错的弯结模型作了比较。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
|
| 关键词 | 单个位错:6260
硅晶体:3980
位错环:2905
位错运动:2695
扩展位错:2638
半位错:2381
弯结:2255
分解切应力:2230
运动速度:2043
硅单晶:1542
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/30021
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
巴图,何怡贞. 硅晶体中单个位错的运动[J]. 物理学报,1980(6):698-705.
|
| APA |
巴图,何怡贞.(1980).硅晶体中单个位错的运动.物理学报(6),698-705.
|
| MLA |
巴图,何怡贞."硅晶体中单个位错的运动".物理学报 .6(1980):698-705.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论