铝合金中位错与替代式溶质原子交互作用引起的低频振幅内耗峰

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	铝合金中位错与替代式溶质原子交互作用引起的低频振幅内耗峰
	葛庭燧
	1980-03-01
发表期刊	金属学报
期号	2 页码:218-230
摘要	在稀铝铜和稀铝镁合金中于室温附近观测到低频振幅内耗峰和温度内耗峰,所用的最大表面应变振幅为5×10~(-7)—1×10~(-3).这种反常内耗表现出一种特殊的时效行为.与此同时,还观测到时效内耗峰,曾在下列三种条件下反复观测到这些内耗峰: (1)高度冷加工的试样退火到刚在完全再结晶以前;(2)充分退火的试样冷加工到刚超过屈服;(3)充分退火的试样经高温淬火.业已证明,观测到的这些内耗峰是由溶质原子(Al中的Cu或Mg)与冷加工或淬火产生的“新鲜”可动位错之间的交互作用引起的.这种新鲜位错含有大量弯结.提出了一种改进了的位错气团模型,认为当位错弯结在外加交变应力作用下作往复沿边运动的过程中,溶质原子被拖着在两个势垒之间来回移动.
部门归属	中国科学院金属研究所
关键词	温度内耗峰:7585 降温过程:3890 振幅内耗峰:2392 溶质原子:2170 降温测量:1780 交互作用:1764 温度曲线:1708 铝合金:1641 反常内耗:1590 势垒:1569
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/30042
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	葛庭燧. 铝合金中位错与替代式溶质原子交互作用引起的低频振幅内耗峰[J]. 金属学报,1980(2):218-230.
APA	葛庭燧.(1980).铝合金中位错与替代式溶质原子交互作用引起的低频振幅内耗峰.金属学报(2),218-230.
MLA	葛庭燧."铝合金中位错与替代式溶质原子交互作用引起的低频振幅内耗峰".金属学报 .2(1980):218-230.