69R及147R两种SiC多型体的微区电子衍射分析

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	69R及147R两种SiC多型体的微区电子衍射分析
	郭可信,周敬,吴玉琨
	1980-01-31
发表期刊	科学通报
期号	2 页码:67-71
摘要	<正> SiC具有层状结构,根据层的堆垛方式不同,生成类型众多的多型体(Polytype),常见的有4H,15R,6H,21R等。这里用的是Ramsdell符号,H及R分别表示六角与菱面体单胞,但都用六角点阵描述,密排层就是六角点阵的基面(001)。H及R前面的数字N表示一个周期
部门归属	中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
关键词	电子衍射分析:8025 多型体:3832 堆垛方式:3119 层状结构:2466 点阵:1634 微区:1131 菱面体:687 衍射斑点:646 电子衍射图:468 单胞:179
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/30046
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭可信,周敬,吴玉琨. 69R及147R两种SiC多型体的微区电子衍射分析[J]. 科学通报,1980(2):67-71.
APA	郭可信,周敬,吴玉琨.(1980).69R及147R两种SiC多型体的微区电子衍射分析.科学通报(2),67-71.
MLA	郭可信,周敬,吴玉琨."69R及147R两种SiC多型体的微区电子衍射分析".科学通报 .2(1980):67-71.