电化学阻抗谱研究负向电压对AZ31B镁合金微弧氧化陶瓷层致密性的影响

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	电化学阻抗谱研究负向电压对AZ31B镁合金微弧氧化陶瓷层致密性的影响
	郭泉忠; 张伟; 杜克勤; 王荣
	2012-12-15
发表期刊	中国腐蚀与防护学报
期号	6 页码:467-472
摘要	采用单极性和双极性脉冲,分别改变几种不同正向电压时的负向电压,在AZ31B镁合金表面制备了微弧氧化膜。利用电化学阻抗谱和扫描电镜研究氧化膜的等效电路元件值以及微观结构的变化,从而分析负向电压对镁合金微弧氧化膜致密性的影响。结果表明:负向电压对于微弧氧化陶瓷膜致密性具有至关重要的作用,适当的负向电压可以有效地提高膜层致密性。并且,不同的正向电压下形成致密氧化膜的负向电压都约为30 V,不随正向电压变化而变化。
部门归属	中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室;中国兵器科学研究院宁波分院;
关键词	镁合金微弧氧化负向电压电化学阻抗谱致密性
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/60752
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭泉忠,张伟,杜克勤,等. 电化学阻抗谱研究负向电压对AZ31B镁合金微弧氧化陶瓷层致密性的影响[J]. 中国腐蚀与防护学报,2012(6):467-472.
APA	郭泉忠,张伟,杜克勤,&王荣.(2012).电化学阻抗谱研究负向电压对AZ31B镁合金微弧氧化陶瓷层致密性的影响.中国腐蚀与防护学报(6),467-472.
MLA	郭泉忠,et al."电化学阻抗谱研究负向电压对AZ31B镁合金微弧氧化陶瓷层致密性的影响".中国腐蚀与防护学报 .6(2012):467-472.