| 超临界水中碳纳米管上沉积二氧化铈的制备方法 |
| 赵丹, 吴欣强, 关辉 and 韩恩厚
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| 2007-10-17
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2007-10-17
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及纳米材料制备和超临界水技术领域,具体为超临界水中碳纳米管 上沉积二氧化铈的制备方法。制备过程：首先将碳纳米管在硝酸中纯化处理；然后 将Ce(NO3)3·6H2O和经硝酸处理的碳纳米管溶于去离子水中,搅拌；调节混合液 pH＝8～10；将混合溶液倒入超临界水反应设备,在搅拌下加热到375～450℃,反 应0.5～6h；反应结束后,冷却、过滤,用去离子水冲洗、烘干,即可得到分散性 好,平均颗粒尺寸为5nm的碳纳米管上沉积二氧化铈颗粒。本制备方法对环境污 染小,工艺简单,制备出的... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101054662
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/65855
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
赵丹, 吴欣强, 关辉 and 韩恩厚. 超临界水中碳纳米管上沉积二氧化铈的制备方法[P]. 2007-10-17.
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