| 多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备 |
| 张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲
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| 2011-12-14
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2011-12-14
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料及其制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体,载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层,沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构,沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体,控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,实现沸石晶体在碳化硅载体表面的可控生长。该结构催化剂孔道开放,分子扩散性能好,比表面积及负载量较大,沸石晶体与碳化硅载体接触面积大,有利于强化传质、传热,缩短反应物与反应产物与催化剂的接触时间。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102274744A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/65947
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲. 多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备[P]. 2011-12-14.
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