| 多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备 |
| 张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲
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| 2011-12-14
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2011-12-14
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体的是涉及一种多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备方法。该材料涉及到的多孔碳化硅载体具有宏观多孔结构,如泡沫结构、蜂窝结构。沸石涂层具有高的晶间孔隙率。该方法通过胶态沸石导向剂对碳化硅载体表面进行改性,实现沸石晶体在碳化硅载体表面择优生长；控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,控制沸石晶间孔隙率。该涂层材料具有高晶间孔隙率,沸石晶体尺寸小,分子扩散性能好,沸石负载量大,沸石晶体硅铝比、沸石涂层厚度可调,沸石晶体与碳化硅载体界面结合性能好。该结构催化剂有利于强化传质、传热,将会在催化、吸附、分离等领域有广泛的应用前景。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102274743A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/65948
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲. 多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备[P]. 2011-12-14.
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