| 浮区熔化单晶体材料制备装置 |
| 葛云龙, 杨院生, 焦育宁, 刘清民, 刘传胜 and 胡壮麒
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| 1993-12-01
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 1993-12-01
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 实用新型
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| 摘要 | 本结构属于单晶材料制备装置,其结构是在原料棒与单晶中间的熔区两侧加有热源,与热源光束垂直同时与料棒垂直且在熔区两侧加有磁极,使熔区内形成均匀磁场,磁场为环形磁铁,在环形磁铁的中间绕有线圈,磁场为恒定磁场,也可为交变磁场,磁极放在底座上。其优点是：把恒稳或交变磁场施加到浮区熔池上,固熔体置于外加磁场中,其流动便出现感生电流和磁场,以形成电磁制动力,保证晶体稳定生长,单晶质量好。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN2148081
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/65977
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
葛云龙, 杨院生, 焦育宁, 刘清民, 刘传胜 and 胡壮麒. 浮区熔化单晶体材料制备装置[P]. 1993-12-01.
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