| 高纯及腐蚀性气体包装容器的处理方法 |
| 金花子, 吴杰, 刘芳欣, 胡宗杰, 陈金生 and 熊天英
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| 2005-01-19
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2005-01-19
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及气体包装容器的表面处理过程,具体地说是高纯及腐蚀性气体包装容器内表面的涂覆处理方法,具体为：1)采用重量浓度为25～40％的磷化液,在60～70℃下磷化30～50分钟；2)喷涂底料：聚苯硫醚和聚全氟乙丙烯按重量比2∶1～3∶1混合均匀,进行喷涂,塑化温度：290～310℃,保温时间30～40分钟；喷涂面料：将聚全氟乙丙烯和Cr2O3均匀混合,其中Cr2O3加入量为聚全氟乙丙烯的3～5％,进行喷涂,塑化温度：280～300℃,保温时间：1～2小时；3)塑化后的容器用冷水急冷到100℃以下。本发明在气... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1565940
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/65995
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
金花子, 吴杰, 刘芳欣, 胡宗杰, 陈金生 and 熊天英. 高纯及腐蚀性气体包装容器的处理方法[P]. 2005-01-19.
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