| 高性能β－氮化硅晶晶须的制备方法 | |
| 周延春, 夏非 and 陈声崎 | |
| 1991-12-11 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 1991-12-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 一种高性能β－Si3N4的制备方法,系属于陶瓷材料领域,它的主要特征是选用1∶(1．5～6)(重量比)的硅非晶氧化物∶碳粉末经机械混合后在气氛炉内烧结,通入N2(加入2－5％Ar)500ml／每分钟,反应温度在1200－1600℃,反应时间为5小时,由本发明制备的β－Si3N4晶须,其晶体结构完整,几乎无任何缺陶,具有直至1900℃的热稳定性能。本发明所提供的制备工艺成本低廉,无环境污染,耗能低,时间短,适于工业规模生产。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1056908 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66025 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春, 夏非 and 陈声崎. 高性能β－氮化硅晶晶须的制备方法[P]. 1991-12-11. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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