| 高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备 |
| 谭军, 万晔, 温井龙, 张磊 and 姚戈
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| 2007-02-28
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2007-02-28
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于纳米晶硅薄膜的制备方法,具体为一种高压热充氢制备纳米晶硅 薄膜的方法及其专用设备,主要应用于量子功能器件、发光器件和压力传感器件。 该方法对单晶硅在高压氢气的环境中进行长时间氢扩散处理；氢气的压力为10～ 12MPa,高压反应釜的加热温度为573～723K,渗氢处理时间为120小时～288 小时,脱氢时间为48～96小时。设备由反应室、氢气加压传输系统、加热控温系 统和真空系统组成。本发明可以直接在单晶片上大面积生成纳米晶硅薄膜,并且 在整个表面上厚度均匀；在高压反应釜内部一次性直接生成纳米晶硅薄膜,中间 不需要转移和改变单晶硅... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1920119
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66033
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
谭军, 万晔, 温井龙, 张磊 and 姚戈. 高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备[P]. 2007-02-28.
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