| 镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器 |
| 罗天骄, 杨院生, 冯小辉, 李应举 and 付俊伟
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| 2012-04-18
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2012-04-18
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 实用新型
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| 摘要 | 本实用新型属于金属材料制备领域,具体涉及一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器。结晶器外壳的顶部设置结晶器上盖,结晶器外壳和结晶器上盖的中心孔位置设有结晶器内套,结晶器外壳和结晶器上盖之间形成冷却水槽,冷却水槽中设置励磁线圈,结晶器外壳的外侧设置与冷却水槽相通的进水口,结晶器内套上开有与冷却水槽相通的二次冷却水喷孔。结晶器外壳和上盖为不锈钢,结晶器内套为4XXX系铝合金,且结晶器内套的上口高出上盖上表面,上口和下口间呈喇叭状。本实用新型用于镁合金的半连续铸造,利用其产生的脉冲电磁力作用于结晶器内部镁合金熔体,使熔体产生强制对流,碎化粗大枝晶,增加形核率,镁合金半连续铸棒晶粒细化效果明显。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN202192235U
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66191
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
罗天骄, 杨院生, 冯小辉, 李应举 and 付俊伟. 镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器[P]. 2012-04-18.
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