| 纳米非晶原位合成氮化硅晶须 | |
| 梁勇, 李亚利, 郑丰 and 肖克沈 | |
| 1996-01-03 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 1996-01-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 一种制备Si3N4晶须的方法,其特征在于：以Si／N／C粉为原料,在氮气氛下经热解形成Si3N4晶须；其特征反应式为：$&Si／N／C＋表面O→Si3N4(晶粒)＋SiO(g)＋CO(g)$&3SiO(g)+3CO(g)+2N2(g)→Si3N4(W)+3CO2(g)$粉体组成为SiNxCy0．1≤X≤1,1≤y≤2,表面吸附氧范围5... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1114368 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66224 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁勇, 李亚利, 郑丰 and 肖克沈. 纳米非晶原位合成氮化硅晶须[P]. 1996-01-03. |
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