热生长Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用

IMR OpenIR

	热生长Al₂O₃膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用
	彭晓, 周月波, 王福会, 姜涛 and 铁军
	2005-02-09
专利权人	中国科学院金属研究所
公开日期	2005-02-09
授权国家	中国
专利类型	发明专利
摘要	本发明公开一种热生长Al₂O₃膜型M-Al纳米复合镀层及制备方法和应用。其成分为沉积的纳米晶金属M和弥散分布其中Al纳米颗粒的组合,其中M为Ni、Fe或Co；Al的含量按质量百分数计,为9.8～35％,余量为M。制备：以金属Ni、Fe或Co,碳钢或低合金钢为基材,在基材上采用共电沉积技术复合电镀金属M和Al镀层,制得Ni-Al、Fe-Al或Co-Al纳米复合镀层。本发明不仅工艺简单、成熟,易于推广；从经济角度讲,生产和维修成本低。与传统的用金属-微米级金属粉制备的复合镀层相比,还具有1)复合量高且成分可控；2)镀层致密；3)纳米复合镀层不需要通过真空...
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN1576398
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66304
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	彭晓, 周月波, 王福会, 姜涛 and 铁军. 热生长Al₂O₃膜型M-A1纳米复合镀层及制备方法和应用[P]. 2005-02-09.