| 瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺 | |
| 尹孝辉, 李美栓 and 周延春 | |
| 2008-01-02 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2008-01-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及陶瓷连接技术,具体为一种三元层状陶瓷Ti3SiC2瞬间液相扩散连 接新工艺。该工艺的特点是界面生成耐高温的Ti3Si(Al)C2固溶体,无脆性相生成, 解决了三元层状陶瓷Ti3SiC2连接质量不高的技术问题。在待焊三元层状陶瓷 Ti3SiC2之间加入铝箔,其厚度在50-100μm之间,将试件置于热压炉内,通氩气 保护。首先在600-650℃、压力为10-20MPa下恒压保温10-... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN101096316 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66330 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹孝辉, 李美栓 and 周延春. 瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺[P]. 2008-01-02. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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