| 碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法 |
| 张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲
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| 2011-03-30
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2011-03-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于沸石晶体催化领域,具体的是涉及一种碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法。所述沸石分子筛涂层在多孔碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,沸石分子筛涂层具有由沸石分子筛的微孔以及沸石晶体相互搭接形成的大孔组成的双重孔道结构。所述制备方法,预先在多孔碳化硅陶瓷表面涂覆一层沸石前躯体溶胶,正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水之间的摩尔比为1∶0.1～1.0∶29；然后,在二次生长溶液中进行生长,正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵和去离子水之间的摩尔比为1∶0.05～1.0∶110。上述涂层中沸石晶体之间具有微米级的孔道,提高了沸石涂层的利用效率。同时,该方法工艺简单、能耗低,制备沸石分子筛涂层负载... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101992126A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66341
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张劲松, 矫义来, 杨振明 and 田冲. 碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法[P]. 2011-03-30.
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