IMR OpenIR
旋转磁控电弧离子镀弧源
闻立时, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉 and 肖金泉
2009-02-11
Rights Holder中国科学院金属研究所
Date Available2009-02-11
Country中国
Subtype发明专利
Abstract本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋 转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生 装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上, 磁极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁 极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120° 的三相励磁顺序供电,在磁极包围的空间内产生可调旋转磁场。本发明通过可调 速调幅的旋转磁场控制弧斑的运动,可以改善弧斑的放电形式和工作稳定性,提 高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少...
Language中文
Status公开
Application NumberCN101363115
Document Type专利
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66408
Collection中国科学院金属研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
闻立时, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉 and 肖金泉. 旋转磁控电弧离子镀弧源[P]. 2009-02-11.
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[闻立时, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉 and 肖金泉]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[闻立时, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉 and 肖金泉]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[闻立时, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉 and 肖金泉]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.