| 氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法 |
| 刘畅, 张艳丽, 王兆钰 and 成会明
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| 2009-08-26
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2009-08-26
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳米电缆及场效应管等纳米器件 中绝缘层的理想材料；此外,所研制纳米电缆的芯体仅由一根或几根单壁碳纳米 管构成,将有利于单壁碳纳米管纳米尺度效应的发... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101513997
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66417
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘畅, 张艳丽, 王兆钰 and 成会明. 氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法[P]. 2009-08-26.
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