| 一维纳米炭材料的成形方法 |
| 成会明, 李峰, 刘辰光 and 李洪锡
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| 2003-07-23
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专利权人 | 中国科学院金属研究所
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公开日期 | 2003-07-23
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明专利
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摘要 | 一种一维纳米炭材料的成形方法,其特征在于:向一维纳米炭材料中加入易挥发有机溶剂,体积比为纳米炭材料/有机溶剂=1∶0.01-5,经过充分混匀以后得到浆状料,1~60MPa压力下预成形,再在40~300℃条件下,处理1-10小时。本发明在一维纳米炭材料中按照一定比例加入易挥发有机溶剂以后,能够在较低压力下使混合样品成形,在得到成形一维纳米炭材料以后,又可以通过加热的方法除去其中溶剂,从而保证成形以后一维纳米炭材料纯度保持不变。另外添加了有机溶剂以后,一维纳米炭材料表现出了良好的成型性,可以比较方便的控制产品的体积密度及形状。 |
语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN1431148
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66430
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
成会明, 李峰, 刘辰光 and 李洪锡. 一维纳米炭材料的成形方法[P]. 2003-07-23.
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