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一维纳米炭材料的成形方法
成会明, 李峰, 刘辰光 and 李洪锡
2003-07-23
专利权人中国科学院金属研究所
公开日期2003-07-23
授权国家中国
专利类型发明专利
摘要一种一维纳米炭材料的成形方法,其特征在于:向一维纳米炭材料中加入易挥发有机溶剂,体积比为纳米炭材料/有机溶剂=1∶0.01-5,经过充分混匀以后得到浆状料,1~60MPa压力下预成形,再在40~300℃条件下,处理1-10小时。本发明在一维纳米炭材料中按照一定比例加入易挥发有机溶剂以后,能够在较低压力下使混合样品成形,在得到成形一维纳米炭材料以后,又可以通过加热的方法除去其中溶剂,从而保证成形以后一维纳米炭材料纯度保持不变。另外添加了有机溶剂以后,一维纳米炭材料表现出了良好的成型性,可以比较方便的控制产品的体积密度及形状。
语种中文
专利状态公开
申请号CN1431148
文献类型专利
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66430
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
成会明, 李峰, 刘辰光 and 李洪锡. 一维纳米炭材料的成形方法[P]. 2003-07-23.
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