| 一种Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法 |
| 周延春, 胡春峰 and 包亦望
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| 2007-12-05
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2007-12-05
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及一种原位反应热压制备Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法。 所述Ta2AlC纳米层状陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为 3.08,c为13.85,理论密度为11.52g/cm3。其晶体结构中Al和Ta以较弱的 共价键相结合,使Ta2AlC在变形时易沿[0001]方向在此处产生剪切变形,表现一 定的显微塑性。它是优良的热电导体,易加工和对热震不敏感,是潜在的高温结 构与功能材料。单相Ta2 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101081737
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66484
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
周延春, 胡春峰 and 包亦望. 一种Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法[P]. 2007-12-05.
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