| 一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法 | |
| 孙超, 赵升升, 华伟刚, 宫骏, 杜昊, 王启民 and 李家宝 | |
| 2006-06-28 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2006-06-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法。采用光杠杆系 统测量试片曲率半径,由激光器产生的入射光束,依次经由“半透镜”与试片 表面的透射和反射,到达硅光电池接收器。反射光束随拱形试片水平运动而偏 转,试片的移动距离l与硅光电池随光束偏转而移动的距离D存在线性关系,由 此关系的斜率可计算试片曲率半径。利用化学或电化学等方法将试片上的薄膜 逐层剥除,求出每次剥除前后试片曲率半径的当量变化量Ri*,并将该变化量, 基片弹性常数Es、vs和基片厚度h |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1793842 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66539 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙超, 赵升升, 华伟刚, 宫骏, 杜昊, 王启民 and 李家宝. 一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法[P]. 2006-06-28. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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