| 一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法 |
| 陶乃镕, 李玉胜 and 卢柯
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| 2007-05-02
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2007-05-02
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及纳米晶体材料的改进技术,特别是一种具有超高强度、高导电率 的块体高密度纳米孪晶金属纯铜及其制备方法。块体纯铜材料微观结构主要特征 是束状高密度纳米机械孪晶,平均孪晶层片厚度为几十纳米,长度几百纳米。基 体与孪晶内部皆有高密度位错存在,其拉伸屈服强度750MPa左右,其电阻率达 到1.81×10-8Ω.m。超高强度、高导电率块体纯铜材料制备方法是利用动态高速变 形技术,对块体纯铜进行单方向多次处理,变形应变速率：范围102-104s-1；变形 应变量：... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1955329
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66562
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陶乃镕, 李玉胜 and 卢柯. 一种超高强度高导电率块体纯铜材料及制备方法[P]. 2007-05-02.
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