| 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法 | |
| 刘畅, 丛洪涛 and 成会明 | |
| 2000-12-27 | |
| Rights Holder | 中国科学院金属研究所 |
| Date Available | 2000-12-27 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明专利 |
| Abstract | 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法,采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式,阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极,催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种,加入量为2．5～5．0at％,其特征在于：(1)反应气氛为50～400乇氢气；(2)阴极与阳极间成30～80°的角度；(3)构成阳极的反应物中加入0．5～1at％的硫或固体硫化物作生长促进剂。本发明可以半连续地低成本、大量、高纯度地生产单壁纳米管。 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN1277937 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66618 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘畅, 丛洪涛 and 成会明. 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法[P]. 2000-12-27. |
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