| 一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷块体材料的方法 | |
| 周延春, 孙子其 and 李美栓 | |
| 2008-03-19 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2008-03-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及高纯Y2SiO5新陶瓷材料的制备技术,具体为一种低温制备大块致 密高纯单相Y2SiO5陶瓷材料的方法。在原料Y2O3和SiO2混合物中加入添加剂 LiYO2,添加剂的含量为Y2O3、SiO2和LiYO2总质量的0.2～10.0％。混合均匀后, 进行煅烧,煅烧温度为1250℃～1600℃,煅烧时间为1～... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN101143782 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66684 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春, 孙子其 and 李美栓. 一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷块体材料的方法[P]. 2008-03-19. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [周延春, 孙子其 and 李美栓]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [周延春, 孙子其 and 李美栓]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [周延春, 孙子其 and 李美栓]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论