| 一种对钛碳化硅材料铝－稀土共渗的方法 |
| 李美栓, 张亚明, 刘光明 and 周延春
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| 2002-12-25
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2002-12-25
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于表面工程技术,具体是一种对钛碳化硅(Ti3SiC2)材料铝－稀土共渗的方法。本发明渗料由铝粉、稀土氧化物粉、氟化钠组成的固体粉末混合物组成,Ti3SiC2材料用渗料包埋后在1000～1200℃保持2～8小时。所获得的渗层由Al－RE金属间化合物弥散富集区以及固溶铝的基体区组成,在1000～1200℃空气中氧化时,表面形成完整的Al2O3层。采用本发明氧化的抛物线速度常数降低了2个数量级,能使Ti3SiC2应用于... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1386891
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66746
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李美栓, 张亚明, 刘光明 and 周延春. 一种对钛碳化硅材料铝－稀土共渗的方法[P]. 2002-12-25.
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