| 一种高强度、低热膨胀的A1N纳米线和A1复合材料 |
| 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明
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| 2008-09-03
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2008-09-03
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 一种高强度、低热膨胀的AlN纳米线和Al复合材料,在纯度大于95％ 的AlN纳米线的基础上,采用过Al熔点热压的办法制备出高致密度AlN纳 米线/Al复合材料,采用H2电弧法制备出平均粒径为80-120nm的Al纳米 颗粒；采用Al,AlCl3,Al2O3和NH3为反应物,通过气相CVD法在石英基板 上沉积出克量级的AlN纳米纤维,其为纯度高于95％的单晶AlN纳米线, 直径分布在10-50nm之间,将体积组分为0～15％的AlN纳米线和Al纳米... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101255538
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66854
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
丛洪涛, 唐永炳 and 成会明. 一种高强度、低热膨胀的A1N纳米线和A1复合材料[P]. 2008-09-03.
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