一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法 | |
张劲松, 曹小明, 马立新, 杨正明 and 杨永进 | |
2001-12-12 | |
专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
公开日期 | 2001-12-12 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法,该泡沫陶瓷筋的相对密度大于90%,平均晶粒尺寸在10nm~10μm。其是以热解后能保持高残碳率的高分子材料为原料,以聚胺酯泡沫塑料为骨架,经挂浆、固化、热解、渗硅处理制备最终得到的。用本发明方法制备的碳化硅陶瓷泡沫体密度高、强度高,孔隙体积和尺寸易亍控制,并且制作成本较低。 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN1325832 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66863 |
专题 | 中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 曹小明, 马立新, 杨正明 and 杨永进. 一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法[P]. 2001-12-12. |
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