| 一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法 |
| 成会明, 张宏立, 李峰, 刘畅 and 闻雷
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| 2009-10-21
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2009-10-21
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术,具体为一种硅化物纳米带或 纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基 体表面于500～1500℃下发生分解反应,从而在金属基体表面原位生长出硅化物 纳米带或纳米片。本发明通过控制氯代硅烷与氢气的流量比就可以容易地实现 纳米带或纳米片的选择制备,所制备硅化物纳米带的典型尺寸如下：长度10～ 50μm,宽度0.5～5μm,厚度100～200nm。硅化物纳米片的典型尺寸为：长 度和宽度都在5～50μm,厚度10～100nm。总之,利用本发明提供的方法可以 实现多种硅化物纳米带和纳... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101560694
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66952
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
成会明, 张宏立, 李峰, 刘畅 and 闻雷. 一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法[P]. 2009-10-21.
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