| 一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法 |
| 张劲松, 高勇, 杨振明, 徐兴祥, 张军旗 and 曹小明
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| 2011-12-21
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2011-12-21
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及泡沫材料领域,具体地说是一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法,解决现有传统泡沫陶瓷材料导电性差、力学性能差等问题。所述含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料具有三维连通网络结构,相组成主要由Ti3SiC2及其它Ti、Si、C的二元或三元化合物构成。所述制备方法为：将剪裁后的泡沫塑料浸入由原料粉、树脂、无水乙醇混合制成的浆料中,取出后除去多余浆料,经半固化-高温固化-热解,得到与原始泡沫形状一致,由原料粉与热解碳组成的泡沫状骨架。上述泡沫骨架经高频感应加热反应烧结,最终制得含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料。本发明工艺简单,无需复杂设备。所制备的复合泡沫材料致密度和抗压强度较... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102285817A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66960
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张劲松, 高勇, 杨振明, 徐兴祥, 张军旗 and 曹小明. 一种含Ti3SiC2组元的复合泡沫材料及其制备方法[P]. 2011-12-21.
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