| 一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法 |
| 刘畅, 张艳丽, 侯鹏翔, 王兆钰 and 成会明
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| 2012-07-04
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2012-07-04
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。本发明涉及碳纳米管的制备技术,特别提供了一种电弧放电法合成具有尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式制备,阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉蒸发,碳原子向阴极沉积,并通过硅团簇的掺入等原因,在阴极处沉积得到尖锐端头碳纳米管。这种结构具有纳米量级的尖端及数十纳米到数百纳米量级的底座,这种特殊的形貌特征及电弧法所赋予的高结晶度的结构特征,使其作为电子场发射体时,显示出优异的场发射性能,作为单根电子源场发射体时,场发射稳定性良好。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102530917A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67031
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘畅, 张艳丽, 侯鹏翔, 王兆钰 and 成会明. 一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法[P]. 2012-07-04.
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