| 一种具有小管束尺寸的单／双壁碳纳米管结构的制备方法 |
| 刘畅, 张艳丽, 侯鹏翔, 王兆钰 and 成会明
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| 2012-07-04
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2012-07-04
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术,具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备；阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极,通过不锈钢板上的外加引线对电弧区施加电场。首先施加电场,而后起弧放电,石墨、催化剂、生长促进剂共蒸发,生成单/双壁碳纳米管；电场作用下,每根单/双壁碳纳米管表面均带有电荷,管与管之间的静电排斥力大大增加,阻止了碳纳米管通过范德瓦尔兹力聚集成大管束,从而得到多以单根或小管束形式存在、高质量的单/双壁碳纳米管。这种较小管束尺寸的单/双壁碳纳米管样品减缓了碳管聚集成束对其本征的电子结构的改变。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102530918A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67115
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘畅, 张艳丽, 侯鹏翔, 王兆钰 and 成会明. 一种具有小管束尺寸的单／双壁碳纳米管结构的制备方法[P]. 2012-07-04.
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