| 一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法 |
| 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明
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| 2008-09-03
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2008-09-03
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 一种刻蚀基板法外延定向生长AlN纳米片网格的方法,采用刻蚀Si 基板和反应物气相蒸发法制备垂直排列的AlN纳米片蜂窝状网格,首先用 含1-5％的氢氟酸或盐酸腐蚀液刻蚀Si片1-20min,然后去除表面的氧化硅 薄膜,用Al+AlCl3作反应物放置在真空CVD炉的恒温区,刻蚀后的Si片 作沉积基板放在出气端,用蒸发法制备出具有蜂窝状网格形状的AlN纳米 片。这种Si基板自生模板,与常规氧化铝多孔模板相比,可避免外加模板 的杂质污染和清除模板时对所生长纳米结构的破坏。又因为Si基板表面的 刻蚀沟槽是连通的,所以这种刻蚀基... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101256950
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67171
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
丛洪涛, 唐永炳 and 成会明. 一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网格的方法[P]. 2008-09-03.
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