| 一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置 | |
| 张劲松, 杨永进, 张军旗, 刘强 and 沈学逊 | |
| 2001-11-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2001-11-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置,其特征在于：该装置由波导—同轴转换(1)、同轴腔(2)、带重入柱的TM010谐振腔(3)连接构成；同轴腔(2)的内导体(21)深入到TM010谐振腔(3)中,并通过高压引入结构(22)引入等离子体激发电压。本实用新型可以使等离子体得到有效控制,从而可以实现等离子体化学合成的产业化。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN2458622 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67242 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 杨永进, 张军旗, 刘强 and 沈学逊. 一种脉冲微波强化高压低温等离子体化学反应装置[P]. 2001-11-07. |
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