| 一种纳米棒阵列材料 | |
| 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明 | |
| 2006-11-08 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2006-11-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 一种纳米棒阵列材料,其特征在于：所述材料组成成份为AlN,所述 材料宏观上形成一种纳米棒阵列。本发明的优点是：此场发射材料具有低 的开启电压、特别是具有高的发射电流稳定性等一系列优异的场发射性能。 此材料制备方法简易、成本低,在平板显示器和阴极场发射器件等领域具 有良好的应用前景。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1857995 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67273 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明. 一种纳米棒阵列材料[P]. 2006-11-08. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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