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一种纳米氮化硼管的制备方法
成会明, 范月英, 魏永良, 苏革, 张伟刚, 刘敏 and 沈祖洪
1999-12-15
专利权人中国科学院金属研究所
公开日期1999-12-15
授权国家中国
专利类型发明专利
摘要一种纳米氮化硼管的制备方法,其特征在于:以TiB2、TaB2、MoB、Mo2B5金属硼化物为催化剂和硼源,以氮气为稀释气,在高温下气相生长生成BN管,生长温度区间为1100℃—1400℃,生长时间1—2小时,NH4Cl与N2的摩尔比为1∶5—1∶12。本发明可以生成比电弧法和激光烧蚀法纯度高和质量高的BN管。
语种中文
专利状态公开
申请号CN1238304
文献类型专利
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67276
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
成会明, 范月英, 魏永良, 苏革, 张伟刚, 刘敏 and 沈祖洪. 一种纳米氮化硼管的制备方法[P]. 1999-12-15.
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