| 一种纳米锥阵列材料及其制备方法 | |
| 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明 | |
| 2006-11-08 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2006-11-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明一种纳米锥阵列材料,其组成成份为AlN,所述材料宏观上形 成一种纳米锥阵列；本发明一种纳米锥阵列材料的制备方法,所述材料采 用化学气相沉积法制备,制备出单晶AlN塔状纳米锥阵列并与硅基板原位垂 直组装。本发明的优点是：此场发射材料具有很低的开启电压、特别是具 有非常高的发射电流稳定性等一系列优异的场发射性能。此材料制备方法简 易、成本低,在平板显示器和阴极场发射器件等领域具有良好的应用前景。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1857994 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67312 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明. 一种纳米锥阵列材料及其制备方法[P]. 2006-11-08. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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