| 一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法 |
| 周延春, 童庆丰 and 陈继新
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| 2009-05-06
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2009-05-06
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及耐高温、抗氧化介电陶瓷的制备技术,特别提供了一种耐高温、 抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法,解决现有技术中制备硅氮氧陶瓷材料时,存 在的温度相对较高、反应时间长等问题。采用一定化学计量比的氮化硅和二氧化 硅为原料,以碳酸锂为烧结助剂,原料经过研磨10-30小时,装入石墨模具中冷 压成型,在通有氮气作为保护气氛的热压炉中烧结,烧结温度为1400-1600℃、 烧结时间为0.1-1小时。本发明可以在较低温度、短时间内合成高纯度、抗氧化、 室温强度和高温强度高、介电常数低和介电损耗小的致密硅氮氧陶瓷块体。采用 本发明方法获得的硅氮氧陶瓷... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101423396
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67322
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
周延春, 童庆丰 and 陈继新. 一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法[P]. 2009-05-06.
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