| 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法 |
| 刘岗, 谢英鹏 and 成会明
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| 2012-10-10
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2012-10-10
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及三氧化钨晶体领域,具体为一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法,通过湿化学过程以硼化钨为前驱体水热生长晶面暴露比例不同三氧化钨晶体,能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题。将前驱体装入有硝酸水溶液的反应釜中,经加热处理,可得到{002}晶面占优的三氧化钨晶体。将前驱体装入有氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的反应釜中,经加热处理,可得到氢钨青铜立方晶体,氢钨青铜晶体经空气中热处理,可得到{002}、{200}、{020}晶面比例相等的三氧化钨晶体。从而,制备出具有规则形貌的、晶面比例不同的、具有很好光解水产氧能力的三氧化钨晶体。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102719891A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67457
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘岗, 谢英鹏 and 成会明. 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法[P]. 2012-10-10.
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