| 一种碳纳米管宏观体的制备方法 |
| 成会明, 刘庆丰, 任文才, 李峰 and 丛洪涛
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| 2010-06-09
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2010-06-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体为一种碳纳米管宏观体的制备方法,适用于制备单壁、双壁或多壁碳纳米管的宏观体。该方法采用含铁(钴或镍)催化剂和含硫生长促进剂,在气态下充分混合均匀,进入反应区生成碳纳米管。所生成碳纳米管漂浮在气相,随着气流方向进入低温区并过滤沉积到多孔材料上,从而形成具有多层碳纳米管薄膜堆积而成的碳纳米管宏观体。本发明可简单地通过调节工艺参数来控制碳纳米管微观结构、单层碳纳米管薄膜的堆积密度和宏观体的厚度,并且该方法具有产物产量高、纯度高、成本低的特点。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101723349A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67538
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
成会明, 刘庆丰, 任文才, 李峰 and 丛洪涛. 一种碳纳米管宏观体的制备方法[P]. 2010-06-09.
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