| 一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法 | |
| 张劲松, 田冲, 杨振明 and 曹小明 | |
| 2012-08-15 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5～120μm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1～20μm,膜管整体气孔率在25～50％之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成,成型采用等静压成型,成型压力控制为40～150MPa,烧成温度控制为1500～2400℃,保温时间0.5～5小时,易于实现,能够保证产品性能。本发明可在氧化气氛下使用,也可以在还原气氛下使用,耐酸、碱腐蚀性能强,可用于煤气化化工... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN102633531A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67543 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 田冲, 杨振明 and 曹小明. 一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法[P]. 2012-08-15. |
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