| 一种铜膜的制备方法 | |
| 卢磊, 斯晓, 陶乃∴, 隋曼龄 and 卢柯 | |
| 2001-10-10 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2001-10-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 一种铜膜的制备方法,其特征在于：以晶粒尺寸小于100nm的纳米金属Cu为原材料,纯度高于99.995wt％,密度为8.91±0.03g/cm3,在室温冷轧,变形速率：1×10－5～1×101/s。本发明制备出的铜膜表面质量好,可以达到很薄的厚度,并且工艺简单,使用普通的轧制设备即可实现。 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1316304 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67588 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢磊, 斯晓, 陶乃∴, 隋曼龄 and 卢柯. 一种铜膜的制备方法[P]. 2001-10-10. |
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