| 一种无TiC杂质的Ti3SiC2材料的制备方法 | |
| 周延春, 张海斌, 刘明月, 闫程科 and 王京阳 | |
| 2004-12-08 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2004-12-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及无TiC杂质的Ti3SiC2材料的制备技术,具体为一种无TiC杂质的 Ti3SiC2材料的制备方法,在Ti3SiC2陶瓷材料的制备原料中加入金属Al,均匀混 合后,进行热压烧结或热等静压烧结,烧结温度为1350-1650℃,烧结时间为0.5-2 小时,形成Ti3Si1-xAlxC2固溶体,其中x＝0.02-0.2。本发明在1350-1650℃、... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1552662 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67613 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春, 张海斌, 刘明月, 闫程科 and 王京阳. 一种无TiC杂质的Ti3SiC2材料的制备方法[P]. 2004-12-08. |
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