| 一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法 |
| 成会明, 任文才, 刘碧录, 高力波 and 李世胜
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| 2011-04-20
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2011-04-20
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术,具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法,适于高效制备高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体,在600～1100℃条件下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管。其中,碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、苯、甲苯、环己烷等碳氢化合物或乙醇、甲醇、丙酮、一氧化碳等,载气为氢气或氢气与氩气、氦气等惰性气体的混合气。本发明提出以离子溅射方法得到的SiO2镀膜为催化剂前驱体,高效生长不含有任何金属杂质的高质量单壁纳米碳管,具有操作简便、成本低、与易于在硅基体上定位生长和图案化生长单壁纳米碳管的特点,对要求无金属杂质的单壁纳米... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102020262A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67618
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
成会明, 任文才, 刘碧录, 高力波 and 李世胜. 一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法[P]. 2011-04-20.
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