| 一种向金属材料中引入氦的方法 |
| 刘实, 王隆保, 郑华, 马爱华, 于洪波 and 王贤艳
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| 2004-11-24
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2004-11-24
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 一种向金属材料中引入氦的方法,采用溅射镀膜技术,其特征在于：在镀膜的同时,向膜材表面注入低能氦离子束,离子束的能量低于1000eV。通过实施本发明的技术,较好地解决了向材料(膜材)中引入高浓度氦的问题。与传统方法相比,引入效率高,费用少,氦含量高。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1548573
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67640
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘实, 王隆保, 郑华, 马爱华, 于洪波 and 王贤艳. 一种向金属材料中引入氦的方法[P]. 2004-11-24.
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