| 一种消除SnBi焊料与铜基底连接界面脆性的方法 |
| 张青科, 邹鹤飞 and 张哲峰
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| 2011-12-14
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2011-12-14
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明属于微电子互连无铅封装领域,具体为一种利用铜银合金消除SnBi/Cu连接偶界面脆性的方法,这种方法消除了传统的纯铜基底与SnBi焊料连接在使用过程中由于热时效产生的界面Bi偏聚导致的界面脆性,解决了SnBi焊料在Cu基底上使用的时效不可靠问题。通过向Cu基底中加入少量的Ag(0.6-2at％),减少了界面Cu3Sn化合物的生成而降低了Bi原子的析出量,同时也增加了Bi在基体中的溶解度；通过适当降低回流温度减少了Bi在化合物中的固溶度,进而减少了Bi原子的析出量。二者共同作用达到了抑制Bi在界面上偏聚的效果,消除了界面的时效脆性,从而改善了SnBi焊料在微电子封装时的可靠性,为推广SnBi... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102275043A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67641
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张青科, 邹鹤飞 and 张哲峰. 一种消除SnBi焊料与铜基底连接界面脆性的方法[P]. 2011-12-14.
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